外观检索
发明公开
CN118737860A
晶圆混合键合纳米线形成方法及半导体器件
有效专利
基本信息
权利要求书
说明书全文
PDF全文
附图
法律信息
引用信息
同族专利
相似专利
基本信息：
专利标题：
晶圆混合键合纳米线形成方法及半导体器件
申请号：
CN202410880552.X
申请日：
2024-07-02
公布(公告)号：
CN118737860A
公布(公告)日：
2024-10-01
申请人：
北京芯力技术创新中心有限公司
申请人地址：
北京市大兴区经济技术开发区永昌中路16号3号楼1层、2层201
专利权人：
北京芯力技术创新中心有限公司
当前专利权人：
北京芯力技术创新中心有限公司
当前专利权人地址：
北京市大兴区经济技术开发区永昌中路16号3号楼1层、2层201
发明人：
章莱
,  
黄达利
,  
韩子同
代理机构：
北京恩辉专利代理事务所(普通合伙)
代理人：
高科
主分类号：
H01L21/60
IPC分类号：
H01L21/60
,  
H01L21/48
,  
H01L23/488
,  
B82Y40/00
摘要：
本发明属于半导体器件制造领域，尤其涉及一种晶圆混合键合纳米线形成方法及半导体器件。所述晶圆混合键合纳米线形成方法包括以下步骤：步骤S1，蚀刻工序：利用大马士革工艺在晶圆的衬底上蚀刻形成混合键和焊盘，利用Cu CMP工艺去除所述混合键和焊盘最外层的表面部分上的Cu，从而在所述混合键合焊盘上从最外层部分开始往内生成碟形凹陷形貌；步骤S2，多孔薄膜贴合工序：以能够保证在指定位置上，按照从下到上的指向性向上生长铜纳米线的方式，在所述晶圆的表面覆盖并贴合多孔薄膜；步骤S3，纳米线生长工序：通过电化学沉积工艺沿所述多孔薄膜的多个孔内生成多个铜纳米线。本发明通过利用上述工艺方法，显著增大混合键合金属之间的接触面积，从而增加了金属与金属键合的结合力，最终显著增加了半导体器件的键合强度。
公开/授权文献：
CN118737860B
晶圆混合键合纳米线形成方法及半导体器件
公开/授权日：2025-04-04
IPC结构图谱：
H
电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目未包含的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/027
..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
H01L21/50
...应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
....引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流