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发明授权
CN120099636B
一种P型AlN多晶薄膜低温合成方法
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基本信息：
专利标题：
一种P型AlN多晶薄膜低温合成方法
申请号：
CN202510597540.0申请日：
2025-05-09公布(公告)号：
CN120099636B公布(公告)日：
2025-08-19申请人：
哈尔滨工业大学（深圳）（哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院）
申请人地址：
广东省深圳市南山区桃源街道深圳大学城哈尔滨工业大学校区
专利权人：
哈尔滨工业大学（深圳）（哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院）
当前专利权人：
哈尔滨工业大学（深圳）（哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院）
当前专利权人地址：
广东省深圳市南山区桃源街道深圳大学城哈尔滨工业大学校区
发明人：
李瑨
, 刘航
, 黄一凡
, 白博文
, 简劼
, 柏贺达
代理机构：
深圳德高智行知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：
林春梅
主分类号：
C30B28/14
IPC分类号：
C30B28/14
, C30B29/40
, C30B31/22
, C30B33/02
, H01L21/02
摘要：
本发明主要提出一种P型AlN多晶薄膜低温合成方法，包括以下步骤：步骤1：衬底预处理，提供单晶耐高温衬底，对其进行表面预处理；步骤2：在衬底上通过磁控溅射沉积AlN薄膜；步骤3：对AlN薄膜进行Mg离子注入；步骤4：重复步骤2和步骤3直至达到目标AlN薄膜厚度；步骤5：对AlN多层薄膜进行退火处理。本发明有益效果在于可实现AlN的低温合成，降低生产成本，同时实现AlN高效、均匀的P型掺杂。公开/授权文献：
CN120099636A
一种P型AlN多晶薄膜低温合成方法
公开/授权日：2025-06-06
IPC结构图谱：
C
化学；冶金C30
晶体生长C30B
单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置C30B28/00
制备具有一定结构的均匀多晶材料C30B28/04
.由液态制备C30B28/14
..用反应气体的化学反应法